IC采购在面对成百上千的器件时，最头疼的就是：到底是不是正品？是哪里生产的？而元器件命名规则就可以将这两个问题解决。这种命名体系把半导体产品根据质量划分为三六九等，以便厂家销售，跟当年电器的一等二等是一个道理。这个方法看上去还不错，但是聪明的国人还是找到了空子（采购员在造假的人面前真是too young too naive)。
既然把IC分得这么细，把质量差一些的IC找来以次充好貌似没有多大问题。这就像欧典地板，说是德国货，结果是北京和杭州出品的；达芬奇家居，看似意大利出产，结果是东莞造的；还有吃了这么多年的双汇火腿肠竟然是美帝的......
实际上小易和那个年代搞电器设计或者维修的前辈聊天，总会听到他们吐槽自己被坑的经历，不仅会遇上以次充好，还有经常有标错的，接上去直接就炸了，这假冒伪劣已经离谱到会出人命的地步了。所以，IC采购们在选别器件的时候，掌握元器件的命名规则不仅能识别是否正品和厂家外，看来还能保命呢......
中国半导体器件型号命名方法：
半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义如下：
第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。（2-二极管、3-三极管）
第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。
第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。
第四部分：用数字表示序号
第五部分：用汉语拼音字母表示规格号
日本半导体器件型号命名方法：
日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：
第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。
第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。
第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。
第四部分：用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号。两位以上的整数-从“11”开始，表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号；不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号；数字越大，越是近期产品。
第五部分：用字母表示同一型号的改进型产品标志。A、B、C、D、E、F表示，这一器件是原型号产品的改进产品。
美国半导体器件型号命名方法：
美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下：
第一部分：用符号表示器件用途的类型。
第二部分：用数字表示pn结数目。
第三部分：美国电子工业协会（EIA）注册标志。N-该器件已在美国电子工业协会（EIA）注册登记。
第四部分：美国电子工业协会登记顺序号。多位数字-该器件在美国电子工业协会登记的顺序号。
第五部分：用字母表示器件分档。
国际电子联合会半导体器件命名方法：
德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家，大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成，各部分的符号及意义如下：
第一部分：用字母表示器件使用的材料。
第二部分：用字母表示器件的类型及主要特征。
第三部分：用数字或字母加数字表示登记号。三位数字-代表通用半导体器件的登记序号、一个字母加二位数字-表示专用半导体器件的登记序号。
第四部分：用字母对同一类型号器件进行分档。A、B、C、D、E——表示同一型号的器件按某一参数进行分档的标志。除四个基本部分外，有时还加后缀，以区别特性或进一步分类。
常见后缀如下：
稳压二极管型号的后缀。其后缀的第一部分是一个字母，表示稳定电压值的容许误差范围，字母A、B、C、D、E分别表示容许误差为±1%、±2%、±5%、±10%、±15%；其后缀第二部分是数字，表示标称稳定电压的整数数值；后缀的第三部分是字母V，代表小数点，字母V之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。
整流二极管后缀是数字，表示器件的最大反向峰值耐压值，单位是伏特。
晶闸管型号的后缀也是数字，通常标出最大反向峰值耐压值和最大反向关断电压中数值较小的那个电压值。
欧洲早期半导体器件型号命名方法：
欧洲有些国家，如德国、荷兰采用如下命名方法。
第一部分：O-表示半导体器件。
第二部分：A-二极管、C-三极管、AP-光电二极管、CP-光电三极管、AZ-稳压管、RP-光电器件。
第三部分：多位数字-表示器件的登记序号。
第四部分：A、B、C┄┄-表示同一型号器件的变型产品。
全球著名半导体公司器件命名规则
微芯公司MICROCHIP
1.前缀：PIC MICROCHIP
2.电路类型：
C CMOS电路
CR CMOS ROM
LC 小功率CMOS 电路
LCS 小功率保护
LCR 小功率CMOS ROM
LV 低电压
F 快闪可编程存储器
HC 高速CMOS
FR FLEX ROM
3.改进类型或选择：
4.速度标示：
-55 55ns
-70 70ns
-90 90ns
-10 100ns
-12 120ns
-15 150ns
-17 170ns
-20 200ns
-25 250ns
-30 300ns
·晶体表示：
LP 小功率晶体
RC 电阻电容
XT 标准晶体/振荡器
HS 高速晶体
·频率标示：
-20 2MHZ
-04 4MHZ
-10 10MHZ
-16 16MHZ
-20 20MHZ
-25 25MHZ
-33 33MHZ
5.温度范围：
空白0℃至70℃，
I -45℃至85℃，
E -40℃至125℃
6.封装形式：
L PLCC封装
JW 陶瓷熔封双列直插 有窗口
P塑料双列直插
PQ塑料四面引线扁平封装
W大圆片
SL14腿微型封装-150mil
JN陶瓷熔封双列直插 无窗口
SM8腿微型封装-207mil
SN8腿微型封装-150mil
VS超微型封装8mm*13.4mm
SO微型封装-300mil
ST薄型缩小微型封装-4.4mm
SP 横向缩小型塑料双列直插
CL 68 腿陶瓷四面引线，带窗口
SS 缩小型微型封装
PT 薄型四面引线扁平封装
TS 薄型微型封装8mm×20mm
TQ 薄型四面引线扁平封装
美信公司MAXIM
1.前缀：MAXIM 公司产品代号
2.产品系列编号：
100-199 模数转换器
600-699 电源产品
200-299 接口驱动器／接受器
700-799 微处理器外围显示驱动器
300-399 模拟开关模拟多路调制器
800-899 微处理器监视器
400-499 运放
900-999 比较器
500-599数模转换器
3.产品等级：
由A、B、C、D 四类组成；
A档最高，依此B、C、D档
4.温度范围：
C= 0℃至70℃（商业级）
I =-20℃至+85℃（工业级）
E =-40℃至+85℃（扩展工业级）
A = -40℃至+85℃（航空级）
M =-55℃至+125℃（军品级）
5.封装形式：
A SSOP(缩小外型封装)
B CERQUAD
C TO-220,TQFP(薄型四方扁平封装)
D 陶瓷铜顶封装
E 四分之一大的小外型封装
F 陶瓷扁平封装
H 模块封装, SBGA
J CERDIP (陶瓷双列直插)
K TO-3 塑料接脚栅格阵列
LLCC (无引线芯片承载封装)
M MQFP (公制四方扁平封装)
N 窄体塑封双列直插
P 塑封双列直插
Q PLCC (塑料式引线芯片承载封装)
R窄体陶瓷双列直插封装(300mil)
S 小外型封装
T TO5,TO-99,TO-100
U TSSOP,μMAX,SOT
W 宽体小外型封装（300mil）
X SC-70（3 脚，5 脚，6 脚）
Y 窄体铜顶封装
Z TO-92MQUAD
/D 裸片
/PR 增强型塑封
/W 晶圆
6.管脚数量：
A:8
B:10，64
C:12，192
D:14
J:32
K:5，68
L:40
M:7，48
N:18
S:4，80
T:6，160
U:60
V:8（圆形）
E:16
F:22，256
G:24
H:44
I:28
O:42
P:20
Q:2，100
R:3，84
W:10（圆形）
X:36
Y:8（圆形）
Z:10（圆形）
说明：
1.后缀CSA、CWA其中C表示普通级，S表示表贴，W表示宽体表贴。
2.后缀CWI示宽体表贴，EEWI宽体工业级表贴，后缀MJA或883 为军级。
3.CPA、BCPI、BCPP、CPP、CCPP、CPE、CPD、ACPA后缀均为普通双列直插。
美国模拟器件公司ADI
1.封装类型：
D 陶瓷双列直插
F 陶瓷扁平
H TO-5金属封装
N 塑料双列直插
2.温度范围：
A.B.C 工业级
J.K.L 商用级
STU 军用级
日本日立公司Hitachi
1.电路类型：
HA 模拟电路
HD 熟悉电路
HM 存储器（RAM）
HN 存储器（ROM）
2.封装类型：
P 塑料封装
美国德州仪器公司TI
1.电路类型：
RSN辐射老化电路
SBP双极处理器
SMC MOS高可靠
SN标准字头
SNM高可靠一级
SNA高可靠二级
SNC高可靠三级
TL线性电路
TM MOS
2.温度范围：
52系列 -25℃—+125℃
54系列 -55℃—+125℃
55系列 -55℃—+125℃
62系列 -55℃—+85℃
72系列 0℃—+70℃
74系列 0℃—+70℃
75系列 0℃—+70℃
TF系列 -40℃—+85℃
TP系列 -55℃—+125℃
3.封装形式：
FA扁平
J陶瓷扁平
JA JB JP双列直插
L LA金属管脚
N塑料双列直插
ND NE塑料双列直插（带散热片）
4.双极回缀：
C 0℃—+70℃
I -25℃—+85℃
E -40℃—+85℃
M -55℃—+125℃
5.MOS回缀：
L 0℃—+70℃
C -25℃—+85℃
R -55℃—+85℃
M -55℃—+125℃
6.速度（仅指MOS）：
-15 150ns 最大存取时间
-20 200ns 最大存取时间
-25 250ns 最大存取时间
三菱电机公司mitsubishi
1.温度范围：
5 工业/商业级
9 军用级
2.原产品系列：
0 CMOS
1 线性电路
2 TTL
10-19 线性电路
3.仿制系列名称（厂商）：
K MOSTEEK公司MK系列
L INTEL公司系列
T 德克萨斯公司系列
G 通用仪器公司系列
4.封装形式：
K 玻璃—陶瓷封装
P 塑料封装
S 金属—陶瓷封装
NEC：美国NECE、日本NECJ
1.电路类型：
A 分立元件
B 数字双极器件
C 线性电路
D 数字CMOS
2.封装形式：
C 塑料封装
D 陶瓷或陶瓷双极直插
日本松下公司Panasonic
1.电路类型：
AN 模拟器件
DN 数字双极
M、J 开发型号
MN MOS电路
日本三洋公司Sanyo
1.电路类型：
LA双极线性
LB双极数字
LC CMOS
LE MNMOS
LM PMOS NMOS
STK厚膜电路
德国德律风根公司TELEFUKEN
1.电路类型：
U集成电路
2.器件工艺：
B双极
M MOS
其它字头由欧洲电子联盟指定
美国西格尼蒂克公司SIGNETICS
1.电路类型（A系列）：
CA仿RCA公司电路
DS仿国家半导体公司电路
LS仿国家半导体公司电路
LM仿国家半导体公司电路
MC仿国家半导体公司电路
SC MOS微处理机
SD DMOS产品
SG仿通用硅器件公司电路
UA仿仙童公司电路
ULN仿史普拉格公司电路
UD显示器件
UG霍尔效应器件
2.温度范围：
N NE 0℃—+70℃
JB JS S SE -55℃—+125℃
SA -40℃—+85℃
SU -25℃—+85℃
3.封装形式：
N引脚塑料双列直插
I陶瓷双列直插
美国无线电公司RCA
1.电路类型：
CA线性电路
CD数字电路
CDP微处理器
MWS MOS
·改进型：
A 改进型可与原型互换
B 改进型可与原形互换
C 改进型
2.封装形式：
D陶瓷双列直插
E塑料双列直插
F陶瓷双列直插
K陶瓷扁平封装
Q四引线塑料封装
T TO-5
美国埃克亚集成系统公司EXAR INTEGRATED SYSTEMS
1.封装类型：
D 小方块型封装
P 塑料封装
N 陶瓷封装
2.器件等级：
C 商用
M 军且（陶瓷封装）-55℃—+125℃
加拿大米特尔半导体公司MITEL SEMICONDUCTOR
1.电路类型：
MH 混合电路
MT 通信
MD 数字
2.改型标志：
A 改进型
B 标准型（3-18V）
3.温度范围：
C 陶瓷双列直插/-40℃—+85℃
E 塑料双列直插/-40℃—+85℃
F 薄型四方扁平封装/-55℃—+125℃
H 小方型/-40℃—+85℃
美国莫斯特卡公司MOSTEK
1.封装形式：
E 陶瓷无引线芯片
J 陶瓷双列直插
K 锡—铜封装（陶瓷双列直插）
N 塑料双列直插
P 金—锡封装（陶瓷双列直插）
T 透明盖板（陶瓷双列直插）
日本村田公司MURATA
不少公司的采购会发现，拿到工程师提供的BOM中的器件去采购物料时，经常供应商还会问得更仔细，否则就不知道供给你哪种物料，严重时，采购回来的物料用不了。
为什么会有这种情况呢？问题就在于，很多经验不够的工程师，没有把器件型号写完整。
完整的器件型号，一般都是包括主体型号、前缀、后缀等组成。一般工程师只关心前缀和主体型号，而会忽略后缀，甚至少数工程师连前缀都会忽略。当然，并不是所有器件一定有前缀和后缀，但是，只要这个器件有前缀和后缀，就不可以忽略。
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